Схема усилителя на сит-транзисторах

схема усилителя на сит-транзисторах
Физический смысл параметров, приведенных в системе уравнений (4.4), мож­но легко установить, если воспользоваться режимами холостого хода на входе схемы и короткого замыкания на ее выходе. Управление впрыскиванием в базу не основных носителей осуществляется путем смещения в прямом направлении (иначе говоря, приоткрывания) база-эмиттерного перехода транзистора. Характеристики ПТИЗ со встроенным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют начальное значение тока /с нач.


Нам всем время от времени требуется рука помощи. Для быстрой её зарядки требуется ток в единицы ампер. Ток коллектора достигает установивше­гося значения не сразу после подачи тока в базу. Если всё сделано правильно, то никакого фона не расслышать, даже если на максимальной громкости поднести ухо к колонке. Поэтому лучше самому, под свою же «рассыпуху». Я сделал оба канала на единой макетке, чтобы потом прикрепить её ко дну корпуса. Наиболее важная емкость «сток — затвор» зависит от действующего между этими электродами напряжения.

При больших напряжениях коллектора ток стягивается в узкую область, что приводит к существенному изменению активной площади p-n перехода, в результате чего увеличивается тепловое сопротивление. Как отмечается в работе [9], в области малых значений тока стока приборы имеют экспоненциальные выходные характеристики при фиксированном напряжении на затворе. Автором она была лишь адаптирована к современным требованиям High End Audio.

Похожие записи: